数字电路笔试题目
10-16 00:00:09
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导读：度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point outwhich nodes can store data and which node is word line control? （威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）81、名词:sram,ssram,sdram名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDRIRQ: Interrupt ReQuestBIOS: Basic Input Output SystemUSB: Universal Serial BusVHDL: VHIC Hardware Description LanguageSDR: Single Data Rate压控振荡器的英文缩写(VCO)。动态随机存储器的英文缩写(DRAM)。名词解释，无聊的外文缩写罢了，比如PCI、ECC、DDR、interru
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度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）
80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out
which nodes can store data and which node is word line control? （威盛笔试题
circuit design-beijing-03.11.09）
81、名词:sram,ssram,sdram
名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR
IRQ: Interrupt ReQuest
BIOS: Basic Input Output System
USB: Universal Serial Bus
VHDL: VHIC Hardware Description Language
SDR: Single Data Rate
压控振荡器的英文缩写(VCO)。
动态随机存储器的英文缩写(DRAM)。
名词解释，无聊的外文缩写罢了，比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、
IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器) RAM (动态随机存储器)，FIR IIR DFT(离散
傅立叶变换)或者是中文的，比如：a.量化误差 b.直方图 c.白平衡
度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）
80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out
which nodes can store data and which node is word line control? （威盛笔试题
circuit design-beijing-03.11.09）
81、名词:sram,ssram,sdram
名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR
IRQ: Interrupt ReQuest
BIOS: Basic Input Output System
USB: Universal Serial Bus
VHDL: VHIC Hardware Description Language
SDR: Single Data Rate
压控振荡器的英文缩写(VCO)。
动态随机存储器的英文缩写(DRAM)。
名词解释，无聊的外文缩写罢了，比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、
IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器) RAM (动态随机存储器)，FIR IIR DFT(离散
傅立叶变换)或者是中文的，比如：a.量化误差 b.直方图 c.白平衡
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