对BIOS设置进行清理,轻松解决花屏的解决
07-22 17:36:37
来源：http://www.qz26.com bios设置 阅读：8331次
导读：建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。 Row Precharge Timing(tRP) 可选的设置：Auto, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示“内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。 tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。 tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能
对BIOS设置进行清理,轻松解决花屏的解决,标签：bios设置图解教程,bios设置图解,http://www.qz26.com
建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
Row Precharge Timing(tRP)
可选的设置：Auto, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示“内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。
tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。
Min RAS Active Timing(tRAS)
可选的设置：Auto, 00, 01, 02, 03, 04, 05, 06, 07, 08, 09, 10, 11, 12, 13, 14, 15.
该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。
注意：这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期（具体加几个时钟周期，要根据内存品质而定，超值版内存一般加3～4个时钟周期，普通内存一般加2个时钟周期，超频版内存加1.5个时钟周期，发烧级内存加0.5～1个时钟周期）。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。
另外我们还为玩家提供一个比较确定Made By PCShow.net的tRAS值确定方法，在CAS Latency、TRCD、TRP这三个参数值确定的情况下，从“05～15”改变tRAS的值，通过采用MEMTEST 3.2这个软件来观察在哪个最小数值下可以获得“05～15”间的最大内存带宽，那么tRAS这个参数就采用该数值。
除了这四个比较重要的内存时序参数外，要想完全发挥内存参数还需调节Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)、DQS Skew Control（“DQS时间差控制”）、Max Async Latency（最大异步延迟）等重要性也很高的参数，在这里我们就不详细介绍了，如果你想了解详细的内存参数调校方法，请查看我们的这篇文章 。
另外，需要玩家注意的是，只有少数主板具备丰富的内存时序调节能力，大多数普通主板的BIOS仅具备CL-tRCD-tRP-tRAS与Command Per Clock等参数的调节项目，要想完全发挥最大内存性能，只有购买像DFI或EPOX（磐正）这些BIOS内存调节项目非常丰富的主板。www.qz26.com 电脑知识网 为你解决问题的好地方
建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
Row Precharge Timing(tRP)
可选的设置：Auto, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示“内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。
tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。
Min RAS Active Timing(tRAS)
可选的设置：Auto, 00, 01, 02, 03, 04, 05, 06, 07, 08, 09, 10, 11, 12, 13, 14, 15.
该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。
注意：这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期（具体加几个时钟周期，要根据内存品质而定，超值版内存一般加3～4个时钟周期，普通内存一般加2个时钟周期，超频版内存加1.5个时钟周期，发烧级内存加0.5～1个时钟周期）。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。
另外我们还为玩家提供一个比较确定Made By PCShow.net的tRAS值确定方法，在CAS Latency、TRCD、TRP这三个参数值确定的情况下，从“05～15”改变tRAS的值，通过采用MEMTEST 3.2这个软件来观察在哪个最小数值下可以获得“05～15”间的最大内存带宽，那么tRAS这个参数就采用该数值。
除了这四个比较重要的内存时序参数外，要想完全发挥内存参数还需调节Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)、DQS Skew Control（“DQS时间差控制”）、Max Async Latency（最大异步延迟）等重要性也很高的参数，在这里我们就不详细介绍了，如果你想了解详细的内存参数调校方法，请查看我们的这篇文章 。
另外，需要玩家注意的是，只有少数主板具备丰富的内存时序调节能力，大多数普通主板的BIOS仅具备CL-tRCD-tRP-tRAS与Command Per Clock等参数的调节项目，要想完全发挥最大内存性能，只有购买像DFI或EPOX（磐正）这些BIOS内存调节项目非常丰富的主板。www.qz26.com 电脑知识网 为你解决问题的好地方
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