对BIOS设置进行清理,轻松解决花屏的解决

　　在玩一个３Ｄ游戏时，出现了花屏现象，但是超频前玩这款游戏时却没有出现花屏哦。超频前正常，而超频后只进行过清空ＢＩＯＳ的操作，难道与清空ＢＩＯＳ设置有关？仔细检查集成显卡的设置选项，都没有问题哦。

　　在检查内存参数设置时，发现“ＣＡＳ Ｌａｔｅｎｃｙ Ｔｉｍｅ”被默认设置为３，“Ａｃｔｉｖｅ ｔｏ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ Ｄｅｌａｙ”被默认设置为５，“ＤＲＡＭ ＲＡＳ＃ ｔｏ ＣＡＳ＃ Ｄｅｌａｙ”被默认设置为为３，“ＤＲＡＭ ＲＡＳ＃ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ”被默认设置为３。终于明白了原因，原来在清空ＢＩＯＳ设置后，系统所默认设置的内存参数较低，而集成显卡在运行时要调用系统内存，特别是在运行大型３Ｄ游戏时，对内存要求较高。于是把“ＣＡＳ Ｌａｔｅｎｃｙ Ｔｉｍｅ”设置为２，“Ａｃｔｉｖｅ ｔｏ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ Ｄｅｌａｙ”设置为５，“ＤＲＡＭ ＲＡＳ＃ ｔｏ ＣＡＳ＃ Ｄｅｌａｙ”设置为２，“ＤＲＡＭＲＡＳ＃ Ｐｒｅｃｈａｒｇｅ”设置为２，保存后进入Ｗｉｎｄｏｗｓ，运行刚才的３Ｄ游戏，果然没有出现花屏了。

主流DDR400内存时序参数的意义与设定方法

大家在购买内存时往往会注意到内存的标签上往往帖有“3-4-4-8”或“3-8-4-4”这类数字，这些数字就是内存SPD设定的时序参数，举例来说在标识为“3-4-4-8”的参数下分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。下面我们将着重介绍这四个参数的意义与设定方法。

SPD＝Serial Presence Detect，配置（存在位）串行探测芯片，主要用来存放内存的配置信息，如Bank数量、电压、行地址/列地址数量、位宽、各种主要操作时序的设定参数（如CL、tRCD、tRP、tRAS等），一般说来内存的SPD设定参数比较保守，但工作稳定。普通用户或硬件菜鸟在使用内存时，无需了解那些复杂内存时序参数的含义，仅需在Bios里将内存参数设置为“By SPD”就可放心使用，而玩家或发烧友要想达到系统性能最优化的话，则需将BIOS设置为“EXPERT”或“Manual”进行手动调节。

CAS Latency Control(“3-4-4-8”中的第1个参数，即CL参数。也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。

RAS# to CAS# Delay(tRCD)

可选的设置：Auto, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示“行寻址到列寻址延迟时间”，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。

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