Avant! 微电子EE笔试题
10-15 23:59:20
来源:http://www.qz26.com 笔试题目 阅读:8273次
导读:1.名词解释:VLSI,CMOS,EDA,VHDL,Verilog,HDL,ROM,RAM,DRC,LVS。 2.简述CMOS工艺流程。 3.画出CMOS与非门的电路,并画出波形图简述其功能。 4.画出N沟道增强型MOSFET的剖面图。 5.简述ESD和latch-up的含义。 6.简述三极管与MOS管的区别。 7.简述MOORE模型和MEALY模型。 8.简述堆栈与队列的区别。
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1.名词解释:VLSI,CMOS,EDA,VHDL,Verilog,HDL,ROM,RAM,DRC,LVS。
2.简述CMOS工艺流程。
3.画出CMOS与非门的电路,并画出波形图简述其功能。
4.画出N沟道增强型MOSFET的剖面图。
5.简述ESD和latch-up的含义。
6.简述三极管与MOS管的区别。
7.简述MOORE模型和MEALY模型。
8.简述堆栈与队列的区别。
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