电子类笔试题精选
将vhd代码进行先前逻辑仿真，验证功能描述是否正确
数字电路仿真工具：
BBSVerolog： CADENCE Verolig-XL
MENTOR Modle-sim
VHDL : CADENCE NC-vhdl
4MENTOR Modle-sim 2A.
模拟电路仿真工具： ***ANTI HSpice pspice，spectre micro microwave: eesoft : hp
3.)逻辑综合(synthesis tools)
逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路;将初级仿真中所没有考虑的门沿(gates delay)反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。
12、请简述一下设计后端的整个流程?(仕兰微面试题目)
13、是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元素?(仕兰微面试题目)
14、描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)
15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?(仕兰微面试题目)
16、请描述一下国内的工艺现状。(仕兰微面试题目)
17、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式?(仕兰微面试题目)
18、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)
19、解释latch-up现象和Antenna effect和其预防措施.(未知)
20、什么叫Latchup?(科广试题)
21、什么叫窄沟效应? (科广试题)
22、什么是NMOS、PMOS、CMOS?什么是增强型、耗尽型?什么是PNP、NPN?他们有什么差别?(仕兰微面试题目)
23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求?(仕兰微面试题目)
24、画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图(应该是纵剖面图)，给出所有可能的传输特性和转移特性。(Infineon笔试试题)
25、以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。(科广试题)
26、Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process.(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)
27、说明mos一半工作在什么区。(凹凸的题目和面试)
28、画p-bulk 的nmos截面图。(凹凸的题目和面试)
29、写schematic note(?)， 越多越好。(凹凸的题目和面试)
30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。(未知)
31、太底层的MOS管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理，公式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。IC设计的话需要熟悉的软件: Cadence,Synopsys, Avant，UNIX当然也要大概会操作。
32、unix 命令cp -r, rm,uname。(扬智电子笔试)
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三、单片机、MCU、计算机原理
1、简单描述一个单片机系统的主要组成模块，并说明各模块之间的数据流流向和控制流流向。简述单片机应用系统的设计原则。(仕兰微面试题目)
2、画出8031与2716(2K*8ROM)的连线图，要求采用三-八译码器，8031的P2.5,P2.4和P2.3参加译码，基本地址范围为3000H-3FFFH。该2716有没有重叠地址?根据是什么?若有，则写出每片2716的重叠地址范围。(仕兰微面试题目)
3、用8051设计一个带一个8*16键盘加驱动八个数码管(共阳)的原理图。(仕兰微面试题目)
4、PCI总线的含义是什么?PCI总线的主要特点是什么? (仕兰微面试题目)
5、中断的概念?简述中断的过程。(仕兰微面试题目)
6、如单片机中断几个/类型，编中断程序注意什么问题;(未知)
7、要用一个开环脉冲调速系统来控制直流电动机的转速，程序由8051完成。简单原理如下：由P3.4输出脉冲的占空比来控制转速，占空比越大，转速越快;而占空比由K7-K0八个开关来设置，直接与P1口相连(开关拨到下方时为"0"，拨到上方时为"1"，组成一个八位二进制数N)，要求占空比为N/256。 (仕兰微面试题目)
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下面程序用计数法来实现这一功能，请将空余部分添完整。
MOV P1，#0FFH
LOOP1 ：MOV R4，#0FFH
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